La nueva litografía promete un mayor rendimiento y un 45% menos de consumo de energía. Según un comunicado de prensa oficial, el fabricante surcoreano celebró el logro en un evento especial para unas 100 personas, incluido el Ministro de Comercio, Industria y Energía de Corea del Sur, Changyang Lee.

Los chips de 3 nm tienen un nuevo diseño

La gran novedad de los nuevos chipsets es la presencia de la arquitectura de transistores GAA (Gate-All-Around). GAA es una evolución de FinFET, lo que permite a la fundición seleccionar transistores sin afectar la capacidad del chip para transportar electricidad. Por lo tanto, la eficiencia de los semiconductores debería mostrar un salto considerable.

Samsung detalla que la primera ola de chips de 3 nm traerá una reducción del 45 % en el consumo de energía, un aumento del 23 % en el rendimiento en un área un 16 % más pequeña en comparación con los chips de 5 nm.

A pesar de todas estas mejoras, Samsung afirma que ya está trabajando en una segunda generación de chips de 3 nm que pueden reducir el consumo de energía en un 50 %, con un 30 % más de rendimiento en un área un 35 % más pequeña.

Hasta el momento, la compañía no ha revelado quién adquirió el primer envío de sus chips de 3 nm, pero adelantarse a TSMC es sin duda un paso importante para Samsung.